我预计基于3-D NAND的存储阵列将会在2015年底或2016年初大量出现。事实上，市场上已经有了三星的一款产品，而其他内存制造商，例如英特尔，正在加速生产3-D NAND芯片。英特尔已经宣布，它计划在今年晚些时候推出3-D NAND闪存芯片。
如果你不熟悉3-D NAND，它是为提高容量和降低闪存每GB成本的一项重要技术。闪存驱动器的成本与闪存芯片尺寸直接相关。芯片的容量并不要紧，因为决定价格的是芯片的物理尺寸。在NAND芯片上增加存储单元的密度可以增大其存储容量，并降低每GB成本，因为只要芯片的物理尺寸不改变，制造成本基本保持相同。
近年来，芯片制造商们对增加NAND芯片容量的难度纷纷表示了忧虑。因为芯片模片上可供他们利用的空间已经微乎其微，于是，厂商们决定将晶体管在垂直方向上堆叠。例如，即将出厂的英特尔3-D NAND芯片，将会包括层叠的32层，容量大约是现有NAND芯片的两倍。
使用这种技术，英特尔宣称它能够创建容量1TB的NAND芯片。该公司预计，在未来两年内将能生产10 TB容量的闪存卡。这些估计目前还无法帮助我们预测什么时候基于3-D NAND的存储阵列能够上市。
相关阅读：
我们一直都在努力坚持原创.......请不要一声不吭，就悄悄拿走。
我原创，你原创，我们的内容世界才会更加精彩！
【所有原创内容版权均属TechTarget，欢迎大家转发分享。但未经授权，严禁任何媒体（平面媒体、网络媒体、自媒体等）以及微信公众号复制、转载、摘编或以其他方式进行使用。】
微信公众号
TechTarget
官方微博
TechTarget中国
相关推荐
-
存储经理人2017年8月刊：分解技术大揭秘
《存储经理人》2017年8月刊重点关注分解技术，分解的理念在于用大量计算机来创建出独立的资源池，然后根据需要分配适当的资源组合，从而为各个应用程序提供相应服务。另外，混合云存储将工作负载可选择的部署范围扩展到多个云，并实现令人信服的使用场景，例如异地备份、灾难恢复和云负载爆发。本期电子杂志还将讨论数据中心的硬盘和SSD共存问题。
-
闪存在企业中的用途原来有这么多
NVMe协议和NVDIMM，进一步释放了闪存的潜力。随着成本下降（每GB价格不断刷新最低值记录），高性能闪存被越来越多的企业接受，用途也再次发生变化。
-
最大容量11TB——Memblaze PBlaze5 PCIe NVMe SSD惊艳3D闪存界
一直在PCIe SSD市场辛勤耕耘的Memblaze正式推出新一代PBlaze5 PCIe NVMe SSD产品，采用企业级3D-TLC NAND，最高容量达11TB，将推动闪存市场实现质的跃迁。
-
存储经理人2017年6月刊：在融合时代，重新定义存储
《存储经理人》2017年6月刊重点关注融合时代的存储技术，探讨企业如何做到灵活敏捷，以在由软件定义的存储与数据中心建立起的全新时代保持竞争力。随着成本下降，高性能闪存被越来越多的企业接受，用途也再次发生变化。另外，带你深入了解云灾备，例如在购买灾难恢复服务时，如何权衡预算和功能。最后，海量的数据同样需要管理技巧。